試驗標(biāo)準 GB/T2423.1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫 IEC60068-2-1:2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2-1部分,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
試驗標(biāo)準 GB/T2423.2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫 IEC60068-2-2:2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2-2部分,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
試驗標(biāo)準 GB/T2424.2-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗濕熱試驗導(dǎo)則 GB/T2423.3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分實驗方法試驗Cab:恒定濕熱,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
試驗方法 1、試驗Na:規(guī)定轉(zhuǎn)換時間的快速溫度變化試驗樣品暴露在溫度快速變化的空氣或合適的惰性氣體中,交替暴露于高溫和低溫下,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
試驗標(biāo)準 GB/T2423.15-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度 IEC60068-2-7:1986(Ed2.1)環(huán)境,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
試驗條件 試驗方法1 經(jīng)過28d培養(yǎng)以后,確定: 1)外觀檢查確定霉菌生長程度; 2)長霉引起的物理損傷; 3)長霉條件下對功能和/或電性能的影響,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
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